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BSZ900N20NS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 7.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 100V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BSZ900N20NS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 7.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 100V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ900N20NS3 G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 7.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 30µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11.6nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 100V; 功率_最大：62.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

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